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內存芯片市場正在惡化 u盤定製工廠如何應對

2018-09-14 20:54

最近以來,半導體股一直麵臨賣壓,因市場對內存條需求下降的擔憂情緒不斷加深。摩根士丹利和KLA-Tencor的高管就曾表示,內存芯片市場正在惡化。
 
截至周二,美光科技股價下跌17%,西部數據和希捷的股價在同一時期下跌超過8%。
 
據CNBC等外媒報道,存儲市況近幾周來有惡化跡象,DRAM需求逐漸趨疲,庫存、定價壓力與日俱增,而NAND型快閃存儲的供給則委實太多。這恐怕會讓第三季報價一路走弱。另外,由於需求降溫的關係,三星電子、海力士的庫存也愈堆愈多。
 
分析師4日報告預測,2019年上半,NAND flash價格將重摔11~13%,他認為目前的存儲定價周期與2014年末到2015年初情況相似,當時也出現存儲裝置需求大跌的狀況。分析師估計,明年上半為止,NAND flash價格將大跌10%以上。
 
過去兩年是存儲產業的好年景,三星更是憑借存儲價格的高漲,取代霸占半導體營收排名榜首二十多年的英特爾,成為新的半導體霸主。2017年光是三星的存儲營收就增加近200億美元。
 
2017年DRAM價格上漲超過四成,在今年一季度和二季度,雖然很多分析師多方不看好存儲的走勢,但是DRAM依然還是持續上漲,三星、SK海力士和美光等廠商也都先後宣布了擴產計劃。但進入最近,局麵似乎有所轉變。在上月中,三星宣布,將原訂本季完成每月增產3萬片DRAM計劃,決定延至今年底,為DRAM價格形成有力支撐。隨著三星新產能擴充腳步延後、一般預料,DRAM價格在今年11月前都將持穩不墜。
 
三星未透露延後此次擴產時間的原因。業界分析,三星的財報當中,存儲已是集團獲利最大來源,占集團總獲利比重高達78%,其中超過七成來自DRAM,三星考量若此時再開出每月3萬片產能,將改變原本DRAM市場供不應求局麵,恐進一步變成供給過剩,挑動市場敏感神經,導致DRAM價格轉跌。
 
三星延後DRAM增產計劃,三星不願破壞好不容易建立的DRAM獲利模式,進而衝擊集團整體獲利,應該是最大關鍵。業內人士稱三星、SK Hynix都打算推遲產能擴容計劃,因為客戶需求放緩導致DRAM內存及NAND閃存價格在2019年上半年下滑。
 
盡管第三季度是傳統需求旺季,但今年全球市場供應仍然很充足,64層、72層堆疊3D閃存產能持續提升,但由於市場都相當飽和,需求增長有限。同時,渠道供應鏈內堆積了大量NAND閃存芯片,進一步導致價格下滑,預計會在今年第三季度環比下降10-15%,第四季度則會再降15%。
 
由於三星和SK海力士對全球的存儲市場擁有很高的市場份額。他們的這些決定釋放出很強的信號。

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