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三星擬在2019年投巨資增加閃存產量以應對中國

2018-09-12 23:31

7月20日韓聯社報道,韓國工業部長白雲揆(Paik Ungyu) 日前表示,韓國政府將加大對大型研發項目的支持,以開發尖端內存芯片,應對中國競爭對手的崛起。
 
近兩年來,DRAM價格一路高歌猛進,創下近30年來最大漲幅,而在這場漲價潮中三星電子、SK海力士、美光三大巨頭賺得盆滿缽滿。
 
芯片目前是韓國最大的出口產品,而中國是全球最大的芯片市場。2016年以來,中國相繼在武漢,南京、成都等城市投資建設半導體製造基地,投入資金達到700億美元之巨。這讓韓國政府和企業感到憂慮,同時業界對韓國存儲芯片行業前景開始看淡。
 
韓國本土芯片製造商擔心,中國政府的舉措可能會以比預期更快地速度縮小與韓國的技術差距。屆時,如果產量得不到謹慎控製,將導致全球芯片價格暴跌。
 
“中國正加緊發展自己的半導體產業,縮小與韓國的差距,這還可能導致全球供應過剩,內存芯片價格的增速最近有所放緩,令人擔心超級周期正接近頂峰。” 白雲揆(Paik Ungyu) 說道:“政府正在考慮支持設計及生產下一代存儲芯片的大型項目,並計劃在今年下半年進行初步可行性研究,”
 
雖然中國政府決心要改變本國半導體產業的現狀,但中國企業在技術層麵與世界先進水平還有較大差距。三星已經開始量產第五代96層3D V-NAND閃存顆粒,而長江存儲的32層NAND還在試產階段,良率也不盡人意。
 
另外,三星計劃在2019年內投入150億美元增加閃存產量,做好了打價格戰的準備。在這種情況下,中國的半導體企業僅靠政府的補貼和支持將難以與三星進行長期的抗爭。

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