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中國閃存即將崛起,千億美元市場中國能占幾成

2018-09-12 23:04

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2013年算得上是中國閃存工廠奠基元年,中國多名院士聯名上書,希望國家支持半導體行業複蘇並得到了國家領導人同意,2014年下半年開學季就正式成立了國家集成電路產業投資基金,資金規模近千億,國開金融、中國移動等公司聯和簽署國家集成電路產業投資基金股份有限公司章程和協議發起人,在集成電路芯片製造,芯片設計、測試封裝、材料和設備等領域重點投資。
由紫光集團牽頭和相關公司在國家集成電路產業投資基金的帶動下,於2016年3月在武漢光穀成立了長江存儲,投資達500多億,同年7月,台灣聯華與晉華集成電路共同出資成立了福建晉華,建廠晉江市,主攻領域:通用存儲器。好消息接踵而來,合肥市政府出資於2016年6月,成立的合肥長鑫集成電路公司在2017年,投資72億美元用來研發DRAM產品而興建一個12吋晶圓廠,三家公司在國家的基金和政策鼓勵下,向以三星為首海力士、鎂光三巨頭發起挑戰,三對三,中國龍將在中國占領世界超大消費國的本地優勢中,絕對碾壓外來者。就像當年的百度碾壓google、淘寶碾壓eby一樣。
然而,鎂光、三星、海力士三巨頭也都看在眼裏,為了壟斷自己的地位必定會不惜一切代價絞殺屠龍,扼殺這些行業後起之秀。尤其是三星電子,畢竟它是DRAM內存、NAND閃存兩大行業的雙料老大,占據份額分別有45%、37%之多,SK海力士則分別占28%、10%。具靠譜消息,2018年全球前DRAM內存芯片產業總價值預計將達千億美金,單個領域的IC產業價值突破千億美金大關,占全年整個IC行業的多達24%。年增幅高達39%,繼續穩居第一,同時也是曆史上第一次。
現在都在講細分市場,全球壟斷尤為嚴重就是存儲器芯片細分市場,DRAM和NANDFLASH芯片市場長期被韓國美國壟斷,韓國三星為首、海力士、鎂光兩家為輔,共占據了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。
中國緊跟韓國和美國之後,2013年發布了完全擁有自主知識產權的55納米相變存儲芯片,成為世界第3個掌握相變存儲技術的國家。
有業內傳言,為了不重蹈麵板的覆轍,吸取教訓,三星刻意控製產量,趕在國內產的存儲芯片入市前,再狠狠的撈上一筆,等中國存儲器芯片企業產品正式上市之後,三星就立馬采取價格戰,重重的打擊中國企業。
可以預見,隨著我國存儲芯片產業的發展,我國在存儲芯片領域將有可能複製京東方模式。現在,中國國家存儲基地的一期工程成功封頂,年內就會進行中小規模的調試和量產,爭取在2019年進行大規模的生產,補充國內在存儲芯片產業領域的空白。一期工程生產規模預計可達到每月30萬片的產量。年產值超過百億美元。
衝鋒號已吹響,戰鼓雷雷,中國的三位勇士已起航,目前也有些成果,率先由合肥長鑫公司自主研發的8GB內存條正式量產,長江存儲也不落後,宣布目前主流的32層NAND閃存也可以正式生產了,就目前發布的產品來看,三小龍和三巨龍還有很大的差距,但是國人相信,中國是可以克服任何困難的,血液裏就流淌著自主研發的血,也秉承的上一代人的遺願,付出終生也要完成,未來兩年,預計國產存儲芯片將會在手機上應用。

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